Дом > Новости > Новости отрасли

Сверхбыстрый лазерный кристалл Microchip успешно применяется в фотоэлектрической области

2022-02-18

Компания Coupletech предлагает микрочип Laser Crystal для дискового лазера. Эффекты тепловой линзы, возникающие в обычных твердотельных лазерах с полупроводниковой накачкой, приводят к ухудшению качества лазерного луча и ограничивают выходную мощность. Толщина лазерной среды микрочипа обычно не превышает 1 мм. В условиях равномерной накачки и охлаждения тепловой поток среды имеет приблизительно одномерную проводимость перпендикулярно поверхности пластины, сводя к минимуму эффект теплового искажения, вызванный эффектом тепловой линзы. Лазер с микрочипом может выдавать лазер высокого качества (режим Гаусса TEM00) и монохроматичности (одна продольная мода, ширина линии менее 5 кГц), что очень важно в областях связи, измерений, лечения, промышленной обработки, научных исследований и военных. Приложения. заявление.

Компания Coupletech поставляет все виды лазерных кристаллов, включая Nd:YVO4, Nd:YAG, диффузионно-связанные композитные кристаллы, Nd:YLF, Yb:YAG, Cr:YAG и их микродисковые кристаллы. например Ультратонкий кристалл Nd: YAG + Cr: YAG обычно используется для дискового сверхбыстрого лазера, и он предназначен для очень малого объема для лазера fs и лазера ps. В настоящее время появляется все больше и больше новых видов лазерных кристаллов, лазерный кристалл, легированный Yb, имеет новый член, а именно, исследования показывают, что новая концепция «квазичетырехуровневой системы иона Yb3+, связанной с сильным полем» — с использованием Сильная полевая связь увеличивает уровень энергии расщепления ионов Yb3+, уменьшает долю горячего населения под лазером и обеспечивает квазичетырехуровневую работу лазера на ионах Yb3+. Выбор Yb с самой высокой теплопроводностью (7,5 Вт·м-1К-1) и единственным отрицательным температурным коэффициентом показателя преломления (dn/dT=-6,3 М·10-6К-1) в положительных и отрицательных силикатных кристаллах: новый вид Кристалл Sc2SiO5 (Yb:SSO) кристалл выращен методом Чохральского. Были реализованы кристаллический лазерный выход и сверхбыстрый лазерный выход, микрочипы Yb:SSO толщиной 150 мкм использовались для достижения высокого качества луча 75 Вт (M2<1,1) и 280 Вт, непрерывного лазера высокой мощности 298 фс. Недавно в этом кристалле был реализован сверхбыстрый лазерный выход с синхронизацией мод 73 фс.


X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept